【电报解读】全球首款量产智能终端用硅基氮化镓射频芯片交付，硅基氮化镓已成为氮化镓器件最具成本优势的技术路线，快速整理相关上市公司（附表）

【解读摘要】

全球首款量产智能终端用硅基氮化镓射频芯片交付，硅基氮化镓已成为氮化镓器件最具成本优势的技术路线，快速整理相关上市公司（附表），这家公司在业内首次实现了在终端射频领域的量产交付。

【电报解读】

硅基氮化镓已成为氮化镓器件最具成本优势的技术路线

硅基氮化镓（GaN-on-Si）是一种融合氮化镓高性能与硅可扩展性的混合半导体平台，通过缓冲层缓解晶格失配、外延生长等步骤制备，核心架构为HEMT晶体管，具备3.4eV宽禁带、1500-2000cm²/Vs高电子迁移率、最高1200V击穿电压等优势，相比硅器件效率更高、功率密度更大、体积更小，且可利用现有硅晶圆基础设施实现成本效益生产，广泛应用于电力电子、射频与无线通信、光电子三大领域，赋能电动汽车、5G、AR/VR等关键行业创新。

从衬底材料看，氮化镓器件主要有四种技术路线：硅基氮化镓(GaN-on-Si)、蓝宝石基氮化镓(GaN-on-Sapphire)、碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)和氮化镓基氮化镓(GaN-on-GaN)。其中，硅衬底成本仅为碳化硅的1/10，且可直接利用现有8英寸硅晶圆产线，硅基氮化镓因此成为最具成本优势的技术路线。目前市面上主要的GaN器件企业大多采用GaN-on-Si方案。

全球市场集中度高，海外老牌巨头与国内头部厂商瓜分市场，国内凭借8寸产线成本优势快速国产替代，国内是全球最大消费市场，6寸产品仍是量产主力，8寸产能逐步落地算力与车规高端领域。英诺赛科是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，亦为全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。

海特高新：公司的硅基氮化镓芯片、vcsel芯片及碳化硅芯片广泛用于电源管理、新能源汽车的充电桩、汽车雷达、汽车功率器件等。

国博电子：公司积极开拓终端领域，终端用射频芯片产品已经开始向多家业内知名终端厂商批量供货，硅基氮化镓功放芯片在业内首次实现了在终端射频领域的量产交付。