澈芯科技 SUME MA系列 双面对准接近式光刻机

一、核心亮点：≤0.1 μm单点对准精度 · 600 nm极限光刻分辨率 · 全场大面积曝光

澈芯科技SUME MA-L200/MA-L8双面对准接近式光刻机，面向MEMS、先进封装、化合物半导体、纳米压印、科研级生产​等应用场景。在亚微米至微米级的工艺窗口内，同时兼顾高精度套刻​与高产率全场曝光，为实验室与量产之间架起一座“精度—成本—灵活性”最优平衡的生产工具。

二、套刻精度：设备拉开差距的地方

2.1 核心指标

2.2 "单点 ≤0.1 μm"到底意味着什么？单点对准精度的定义非常"硬核"

光刻机基于单点晶圆层MARK/掩模层MARK完成识别与对准后，就在该对准间隙位置直接曝光，然后量测该MARK的套刻偏差。这一数值本质上排除了大尺寸基板上"远近不一样"的RUNOUT影响（基板涨缩/畸变带来的系统性偏移+工艺缩放误差），只留下：台面运动分辨率+视觉识别算法+机械刚性/迟滞​ 的"纯设备能力"。

MA-L8套刻工艺完成后，基于ir-Warcher8套刻误差量测设备​的实际量测数据（中心MARK对准后，周边15个MARK的套刻误差分布情况，覆盖约44×48mm区域），如下：

可以看到，中心点实际对准位置的套刻误差控制在~100nm内，而外围点的百纳米级偏差，正是由于RUNOUT（基板形变/缩放/偏心）的典型表现（从OVL MAP中这一现象表现的更为明显）——它不是"对准没对准"，而是基板涨缩和前道工艺导致的，这正是为什么实操中不靠单点对准，而是采用双点对准的原因。

2.3 双点对准（2Points Alignment）——把RUNOUT吃掉

接近式光刻的工程解法是：

• 同时在晶圆左右沿直径对称分布的两个MARK处做识别； • 算法取两点中点作平移基准，取两点连线作旋转基准； • 对准过程中，算法尽可能的减少了残余缩放（scale）与高阶畸变的影响，这往往也能够在大多数MEMS/封装/厚胶应用中，将全局套刻精度稳定在≤±0.5μm（TSA）/ ≤±1.0μm（BSA）​的水平。

澈芯科技自主研发对准算法：PureSight，实现全自动对准：

• 自动识别BOX-in-BAR、AIM、BAT、Circle-in-Circle、Cross-in-Cross等主流对准MARK，也支持自定义MARK类型的创建，适应性强； • 手动/自动模式无缝切换：研发阶段手动摇杆精修 量产阶段Recipe全自动运行； • 可选配红外对准功能：透过硅/GaAs/InP等红外透明材料，完成背面或夹层中的MARK透射观测识别，满足双面光刻及键合后量测的应用场景。

三、线条尺寸/光刻分辨率——从极限600 nm到实用的3~10 μm

3.1分辨率阶梯（工艺条件：正胶、胶厚≤1.0μm、Line/Space=1:1）

重要提示：可实现分辨率强烈依赖晶圆尺寸/平整度/胶型/洁净室条件。上面数字是"在标准验证条件下的标称"，不是"任何工艺都能自动拿到"。

四、为什么这些指标对您的应用"正好踩在点上"

五、设备硬件如何"托住"这两个指标

六、总结

如果您关注的是：套刻能不能稳在亚微米级？线条能不能跑到3μm以下？

SUME MA系列的价值，不在跟投影式光刻机拼28 nm。而是在为0.6~10μm，这条最"厚胶+MEMS+封装"的高频工艺带，提供一台可量产、可长期守住良率的高性价比设备。