

型号介绍 GD25LQ32DLIGR 是一款 32Mbit(4MB)1.8V 低压四线串行 NOR Flash,这款闪存工作电压覆盖 1.65V~2.0V,完美适配各类低电压主控芯片,直流功耗表现十分亮眼,常态待机电流仅 35μA,进入深度掉电模式后电流低至 1μA,能够极大延长电池类产品续航。电气时序支持最高 120MHz 时钟,四线 Quad 与 QPI 模式下传输速率可达 480Mbps,同时规范了完整输入输出电平标准、上电时序,区分 - 40℃~85℃工业级温度电气参数,高低温环境下读写、擦除时序稳定;器件具备标准的读写擦耗时,单页编程典型 0.7ms,4KB 扇区擦除 90ms,整片擦除 20 秒,还支持擦写挂起、恢复功能,操作中途可读取其他区域数据,提升设备运行效率。硬件电气设计上集成 CS、SCLK 以及四组复用 IO 引脚,默认 SPI 模式,开启 QE 位后切换双线、四线通信,配套独立 HOLD 暂停、深度掉电硬件逻辑,同时划定 - 65℃~150℃宽存储温域,IO、电源拥有充足耐压余量,产品电气稳定性可靠。
主要特性 存储:32Mbit (4MB),页 256Byte,4KB 统一扇区;10 万次擦写,数据保存 20 年 电压:1.65~2.0V(1.8V 低压) 接口:SPI/Dual/Quad/QPI,最高 480Mbps,120MHz 时钟,支持 XIP 片上执行 速度:页编程 0.7ms,扇区擦 90ms,整片擦 20s;支持擦写挂起 / 恢复 功耗:待机 35μA,深度掉电 1μA 安全:区块硬件 + 软件保护;3 组 1KB OTP 安全区;单颗 128bit 唯一 ID 封装温区:WLCSP,工业级 - 40~+85℃,
应用领域 网络通信小型设备 工业自动化 便携式电子设备
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