GD25LQ80EE2GR，低功耗 + UID 双重防护的工业级闪存

GD25LQ80EE2GR

型号介绍 GD25LQ80EE2GR 是一款 8Mbit（1MB）四线串行 NOR Flash，这款芯片最大辨识度就是 6mm×5mm WSON8 扁平无铅封装，和同系列 3×2mm 超薄 USON8、宽窄 SOP8 形成清晰差异化定位。整体采用裸露金属焊盘底部设计，焊盘面积充足，一是大幅提升芯片运行散热能力，高速四线持续读写、长时间擦写工况下热量快速传导至 PCB，不会因积温导致读写出错、速率衰减；二是焊接容错率高，相比微型 USON8 更适合大批量 SMT 量产，不易出现虚焊、连锡，维修调试也更友好，对工厂贴片工艺要求更低。

主要特性 输入 / 输出漏电流 ±2μA；待机最大 120μA；深度掉电最大 40μA 读操作工作电流：四线 133MHz 典型 10mA，单线 80MHz 典型 3mA 高低电平阈值：VIL≤0.2VCC；VIH≥0.7VCC；输出低≤0.2V，输出高≥VCC-0.2V 供电 VCC：-0.6~2.5V；工作温度 - 40~125℃；存储 - 65~150℃ IO 瞬时电压：-2V ~ VCC+2V；持续 IO 电压：-0.6~VCC+0.4V 时钟建立 / 保持、片选建立保持最小 5ns；数据输入建立保持 2ns 复位等待：普通复位 30μs；擦除中复位最长 12ms 深度掉电进入耗时≤3μs；唤醒等待≤20μs

应用领域 网络通信小型设备 工业自动化 便携式电子设备

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