

型号介绍 GD25Q40CE2GR 是一款 4Mbit 四线 SPI NOR Flash,它采用单电源 2.7V~3.6V 供电,完美适配主流 3.3V 嵌入式电路,工业级工作温度覆盖 - 40℃至 85℃,户外、工业低温高温环境都能稳定运行。芯片功耗表现十分亮眼,待机模式与深度掉电模式典型电流仅 1μA,极大降低电池类产品的静态耗电;高速读写工况下工作电流可控,兼顾速度与续航。通信层面支持标准 SPI、双线 Dual SPI、四线 Quad SPI 三种模式,开启高性能模式后时钟频率最高可达 120MHz,四线模式传输速率最高 480Mbps,读写效率大幅提升;同时具备完整时序容错设计,上电等待 1.8ms 即可正常通信,1.5V 以下自动锁定擦写操作,从硬件层面避免上电误擦写。读写擦时序表现均衡,256 字节页面编程典型耗时 0.6ms,4KB 最小扇区擦除仅 45ms,整片擦除 2.5 秒,十万次擦写循环寿命搭配 20 年数据保存能力,长期使用数据不易丢失。电气防护上,芯片 IO 口可承受短时 ±2V 电压尖峰,抗干扰能力更强,满足各类设备复杂电源环境使用需求。
主要特性 扇区:统一 4KB 标准扇区(最小擦除单元);块分 32KB/64KB 两种 整体布局:8×64KB 大块,合计 128 个 4KB 扇区、2048 页 独立安全 OTP 区:4 组 ×256 字节安全寄存器,可单独擦写 / 永久锁定 总容量:4Mbit = 512KB,3 字节 24 位地址寻址 高性能模式 HPM(A3H):内部预充电,提升高频四线稳定性 封装:USON8 3×2mm 超薄封装
应用领域 网络、外设与小型嵌入式系统 工业控制与仪器 小型消费电子 车载导航
相关型号 GD25D20ETIGR GD25Q40CE2GR GD25Q64EQJGR GD25WD20ETIGR GD32G553CEU7 GD32A508VET7 GD32G553CET7 GD32F303ZGT6 GD32E235F8V6TR GD32E517RET6 GD32E230G6U6TR GD32F350RBT6 GD32F303VET6 GD30MP1021GUTR-I GD30LD1002WETR-I
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