美银：苹果引入长鑫存储DRAM意在增加谈判筹码

美国总统唐纳德·特朗普于2017年6月19日在华盛顿特区白宫听苹果首席执行官蒂姆·库克在美国技术委员会圆桌会议上发表演讲。

7月6日消息，据外媒wccftech报道，美国银行（Bank of America）在最新发布的一份报告中指出，苹果公司试图从中国DRAM芯片厂商长鑫存储（CXMT）采购DRAM的举动，可能无法“有实质性地”采用长鑫存储的DRAM。

美国银行给出的主要原因包括以下三大原因：

1、政策限制：美国对中国半导体的限制政策；

2、技术短板：苹果要求LPDDR5X芯片技术要求包括10Gbps以上的速率、1.1V功耗以及ECC功能，虽然长鑫存储的产品速率最高仅达10.667Gbps，但受限于较旧的制程节点，其产品存在更高的寄生电容和电流泄漏问题。

3、侵权诉讼威胁：三星、SK海力士和美光拥有大量DRAM相关知识产权，可能会尝试将苹果卷入专利侵权诉讼。

基于上述原因，美国银行认为，苹果仅能在iPhone 18e等低端产品中使用长鑫存储的DRAM，且鉴于“低端iPhone在中国的销量疲软”（高端机型更受欢迎），实际的DRAM订单量预计不会很大，无法实现“有意义的”规模。

但是，苹果可能会尝试利用长鑫存储的DRAM作为筹码，在与韩国三星、SK海力士和美国美光这三大DRAM制造商谈判2026年下半年或2027年的合约价格时，增加自身的议价能力——尽管（从长鑫存储）的实际采购量仍然很小。

在今年6月底，英国《金融时报》就曾报道称，苹果公司正在积极游说美国特朗普政府，希望获得官方批准，以便能够从中国存储芯片制造商长鑫存储采购DRAM芯片。

报道援引知情人士透露，苹果在一个多月前就已开始接触美国商务部，并向白宫及华盛顿的盟友寻求支持。其核心目标是获得美国政府关于采购长鑫存储芯片的明确批准或政策保障。

苹果此次游说行动的背景是存储芯片价格的失控式上涨。由于人工智能（AI）数据中心的爆炸性需求，三星、SK海力士和美光等主要存储厂商已将大量产能转向高利润的AI用高带宽内存（HBM），导致消费级DRAM和NAND Flash供应持续紧张、价格飙升。

目前，苹果公司想要采购长鑫存储DRAM芯片所面临的法律地位较为复杂。它虽然并没有被美国商务部工业与安全局（BIS）列入“实体清单”，但是被美国国防部列入“1260H”清单，即所谓的“涉军企业”名单。这份名单本身并不直接禁止美国企业与名单上的公司进行商业交易，但会带来巨大的政治和声誉风险。因此，苹果的真正诉求是寻求采购豁免，或者美方保证不会将长鑫存储进一步列入限制性更强的“实体清单”，那将构成实质性的采购障碍。此外，苹果同样还想要采购向中国长江存储采购NAND Flash。

彭博社记者马克·古尔曼在上周披露，苹果正与特朗普政府合作，以最小化其最终向长鑫存储和长江存储采购DRAM和NAND Flash用于中国销售产品时，已经在国会内部引发了反对。

wccftech的报道也指出，苹果公司采购长鑫存储DRAM在经济上并不合理。因为，长鑫存储的大量产能被其他客户的长期协议锁定；有限的LPDDR产能价格与三星、SK海力士和美光相当；并且其向长鑫存储采购的DRAM可能仅能用于在中国境内销售的产品。

编辑：芯智讯-浪客剑