深化2nm与HBM合作：三星联合博通布局2000亿美元AI半导体市场

2026年7月25日，三星电子与博通（Broadcom）宣布签署谅解备忘录（MOU），扩大双方在内存和晶圆代工技术领域的战略合作，共同推动下一代人工智能（AI）基础设施的发展。

该谅解备忘录是在旧金山 The Midway 举办的 AI 峰会上公布的，出席签约仪式的人员包括三星电子晶圆代工业务总裁兼主管韩真晚（Jinman Han）、博通总裁兼首席执行官陈福阳（Hock Tan）、两家公司高管以及韩国政府代表。双方预计，这项合作在未来五年内（截至2030年），在内存和晶圆代工领域的合作规模将超过 2000 亿美元。

在内存方面，三星与博通计划开展战略合作，为其下一代 AI 加速器稳定供应业界领先的内存解决方案，包括高带宽存储器（HBM）。

在晶圆代工方面，双方的合作重点是利用三星 2 纳米及更先进的制程技术，为博通旗下产品（包括无线宽带通信解决方案）提供制造支持。此外，双方的合作预计还将扩展至基于三星 2 纳米工艺的先进封装技术，涵盖 2.3D 和 2.5D 芯片集成，以实现更高性能、更高能效的 AI 与网络芯片。

总的来看，凭借整合内存、逻辑芯片、晶圆代工及先进封装的全产业链能力，三星在提供面向 AI 时代的一站式（端到端）半导体解决方案方面具有独特优势。此次与博通深化合作，体现了三星致力于为日益多样化的 AI 和高性能计算（HPC）应用提供全方位半导体技术支持的长期承诺。

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