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AGV系列之运动控制系统介绍
AGV硬件系统负责信息感知，执行运动控制等任务，是影响AGV系统性能的关键因素。本文主要对AGV运动控制系统做简单介绍，为后续的理论研究奠定基础。 运动控制系统是AGV系统的核心部件，是AGV的大脑。 运动控制系统主要是保证驱动系统以及AGV的稳定运行，主要负责AGV启动、停止、调速、紧急制动等基础控制功能，从而控制整个AGV的运动过程，实现AGV的移动以及定位。 AGV运动控制系统硬件主要由运动控制器、伺服驱动器、减速机、直流电机等组成。为了实现运动控制器与各驱动之间的通信及传输功能，必须选择合适的通讯保证设备之间的通信协议匹配。 采用系统方案集成的厂商一般采用市面上常用的运动控制系统集成，节约了大量的研发时间。那下面简单介绍一下AGV常用的运动控制系统。 1. 运动控制器 运动控制器是运动控制系统的控制核心，运动控制器是工业中对电机控制的主要应用设备，运动控制器作为“控制”的大脑，以实现伺服驱动、运动插补以及电机速度的运动控制，此外还可以提供各种数字量、模拟量的输入与输出接口来对传感器信号进行处理
2K10编辑于 2022-11-14 - 来自专栏剑指工控
运动控制系统中的数学基础-微积分
JZGKCHINA 工控技术分享平台 提到高数，我们往往想到一棵高高的树上挂着很多人，没错今天我们就从运动控制应用工程师的角度去看一下我们眼里的高数。 啥？伺服就走个位置控制用什么高数？ 当我从运动控制系统应用中发现数学的神奇之处的时候我豁然开朗。 提到运动，我们第一时间想到的就是位移、速度、加速度、还有加加速度（Jerk）、Snap等，他们的关系我们又会想到很多物理公式，那它们之间除了我们常用的物理公式外，还有什么关系呢？ 作为运动控制应用工程师需要知其然也要知其所以然，要对控制原理以及高数有扎实的基础才能在未来的各种挑战中不断成长，以上总结不足之处，请加以指正。
62330编辑于 2023-08-31 - 来自专栏嵌入式开发圈
运动控制系统优化的关键 | 电流环、速度环、位置环的优化
ref: [1]伺服与运动控制系统设计/田宇编著．北京：人民邮电出版社，2010.5
4.2K40编辑于 2023-10-09 C#+WPF+Opencv模块化开发视觉对位运动控制系统教程
(10)处理结果控制管道的动作、视觉定位系统或定位、纠正运动误差等。
1.6K10编辑于 2025-04-07- 来自专栏运动控制系统
激光钎焊的主要工艺参数
专业提供工业自动化运动控制技术及解决方案！一三六，五二三四，六四四九。 ---（激光）焊接、抛光、切割、桁架机械手、等特种数控设备运动控制系统。
81210发布于 2021-11-13 碳化硅 TTV 厚度在 CMP 工艺中的反馈控制机制研究
一、引言化学机械抛光（CMP）工艺是实现碳化硅（SiC）衬底全局平坦化的关键技术，对提升衬底质量、保障后续器件性能至关重要。 测量数据实时传输至反馈控制系统，使系统能够及时了解 TTV 厚度变化趋势，为工艺参数调整提供依据，实现 TTV 厚度的动态控制。 四、CMP 工艺中 TTV 厚度反馈控制系统构成4.1 数据采集模块数据采集模块负责收集碳化硅 TTV 厚度测量数据以及 CMP 工艺过程中的相关参数，如抛光压力、抛光液流量、抛光头转速等 。 当检测到 TTV 厚度超出设定范围时，控制执行模块自动调节抛光压力、抛光液流量或抛光头转速等参数，使 TTV 厚度恢复到目标值 。该模块采用高精度的执行机构，确保工艺参数调整的准确性和及时性。 运动控制灵活，适配2-12英寸方片和圆片测量。
46210编辑于 2025-09-11【新启航】碳化硅 TTV 厚度与表面粗糙度的协同控制方法
抛光工艺则可引入化学机械抛光（CMP）技术，优化抛光液成分与抛光时间，实现 TTV 厚度与表面粗糙度的协同改善。 将测量数据反馈至加工设备控制系统，通过机器学习算法建立工艺参数与测量指标的关联模型，根据测量结果自动调整加工参数。 例如，当检测到表面粗糙度过高且 TTV 厚度偏差在允许范围内时，系统自动降低抛光压力、延长抛光时间，实现二者的协同优化。 例如，采用纳米级磨料和特殊孔隙结构的抛光垫，可实现对衬底表面的精细化加工 。 运动控制灵活，适配2-12英寸方片和圆片测量。
50610编辑于 2025-09-04- 来自专栏工业运动控制技术
精密电子在激光自动焊锡机的工艺应用优势
专业提供工业自动化运动控制技术及解决方案！一三六，五二三四，六四四九。 ---（激光）焊接、抛光、切割、桁架机械手、等特种数控设备运动控制系统。
54830发布于 2021-11-03 - 来自专栏机器人打磨抛光
【干货】柔性力控打磨工具，推动自动化打磨生产“智”变！
打磨机器人的自动化系统集成，就是打磨机器人的各种软硬件系统集成为相互关联，统一协调总控制系统，以实现机器人的自动化打磨、抛光、去毛刺加工。 根据打磨工艺需要，分别选择力控电动强磨机、力控电动砂光机、力控砂带机等打磨设备，充分满足打磨、抛光、去毛刺的粗加工和精加工。充分满足实现打磨机器人单元的自动化加工需要，达到预期打磨加工效果。 独立的控制系统，不依赖于任何机器人，可适配任何种类的打磨工具，响应速度快。
1.4K20发布于 2021-08-12 - 来自专栏脑机接口
通过超高密度脑电记录系统实现单个手指运动精准解码
这为外部设备的BCI手指运动控制奠定了基础。 图1 10-20、10-10、扩展10-10和超高高密度脑电图(uHD EEG)系统，其中uHD EEG系统包含1024个超高清脑电图系统。 uHD EEG记录系统被放置在受试者头皮的对侧感觉运动皮层上。256通道放大器通过USB端口连接到采集计算机。 黑点表示良好的通道，红点表示被排除的通道 图5 使用beta频段(13 – 25 Hz)计算来自各自受试者的单个手指运动的地形图的事件相关去同步/同步地形图。 图7 (A) 基于β（13-25Hz）频段特征的受试者所有手指运动的事件相关去同步化/同步化（ERD/S）泡状图。对于每个手指，选择具有最大ERD的6个通道。气泡的半径反映了ERD的大小。
74030编辑于 2023-02-14 - 来自专栏睐芯科技LightSense
半导体的化学机械研磨抛光CMP技术
1、化学研磨抛光CMP技术CMP 设备通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用，实现晶圆表面多余材 料的高效去除与全局纳米级平坦化。 2、CMP 设备的工作原理 CMP 设备主要由晶圆传输单元、抛光单元和清洗单元三大主要模块组成。 A）晶圆传输单元要由前端模组、晶圆传输手等部件组成。 晶圆传输手负责晶圆在抛光单元、清洗单元内部及不同加工工位之间的传输。B）抛光单元在抛光单元中，利用化学腐蚀与机械研磨的协同配合，通过夹持晶圆的研磨头和研磨垫之间的相对运动来实现晶圆表面平坦化。 抛光过程中通 过研磨头的不同区域同时施加不同压力来调整区域研磨速率，从而优化晶圆表面的全局平坦化程度。同时，运用终点检测技术，实时检测晶圆表面的材料厚度， 在达到预定厚度后停止抛光。 C）清洗单元在完成化学机械抛光后，通过清洗单元有效去除晶圆表面的颗粒污染物，并干燥晶圆。清洗单元一般包含兆声清洗模组、刷洗模组及干燥模组等。
1.9K21编辑于 2024-07-24 激光退火后，晶圆 TTV 变化管控
此外，升级设备的温度控制系统，提高温度监测和控制的精度，确保晶圆在退火过程中温度变化平稳，降低热应力对 TTV 的影响 。2.3 晶圆预处理在进行激光退火前，对晶圆进行预处理可有效降低 TTV 变化。 通过化学机械抛光（CMP）技术进一步提高晶圆表面平整度，减少因表面不平整在激光退火时产生的应力集中现象。 将测量数据实时传输至控制系统，一旦检测到 TTV 变化超出允许范围，系统自动调整激光退火工艺参数，如能量密度、扫描速度等，实现对 TTV 变化的动态管控 。 5，灵活的运动控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片测量。
42210编辑于 2025-05-23- 来自专栏深度学习
【自动控制原理】数学模型：控制系统的运动微分方程、拉氏变换和反变换、传递函数
2.1 控制系统的运动微分方程 a. 线性定常系统微分方程的一般形式： 2.1.1 建立数学模型的一般步骤 确定系统输入、输出 根据物理定律建立方程组 消去中间变量 画成标准形式 2.1.2 控制系统微分方程的列写 2.2 拉氏变换和反变换 * 极点的作用 极点对系统输出响应的影响 系统自由运动模态由G(s)的极点决定，极点性质不同，其运动模态也不同 自由运动过程中，靠复平面虚轴最近的极点所对应的自由运动模态所占比重 零点对系统输出的影响 零点不能形成运动模态 系统零点可以影响各个运动模态在响应中的比重 2.3.4 典型环节及其传递函数 2.3.5 根据系统运动的微分方程模型求传递函数
1.7K11编辑于 2024-07-30 - 来自专栏睐芯科技LightSense
CMP终点检测EPD(End Point Detection)
化学机械研磨 CMP( Chemical Mechanical Planarization )设备在对晶圆表面的互联铜薄膜层抛光时，铜薄膜层厚度由500 nm 左右不断去除到 100~200 nm 左右时结束抛光 PS: 2001年，KLA-Tencor公司推出了用于CMP应用的先进原位终点控制系统。在他们的测量系统中，将光学方法和涡流方法相结合，监测了从1500到小于30 nm范围内的Cu薄膜厚度。
3.7K11编辑于 2024-07-25 - 来自专栏脑机接口
Nature子刊 | 使用非侵入式超高密度记录方法绘制大脑中央沟图谱
图1a还包括另外两个系统：10-10系统（标记为填充的浅灰色圆圈）和扩展的10-10系统（标记为浅灰色圆圈）。本文中的uHD脑电图系统由图1a中的小黑圈和图1b，c中的填充小黑圆圈表示。 Tsuchimoto等人表明，在提取感觉运动活动时，共同平均参考（CAR）的使用优于其他7种参考方法。从电极阵列到参比电极的阻抗不匹配可能很大。 值得注意的是，通过目视检查，与靠近运动和感觉皮层的电极相比，位于中央沟上方的电极的相位反转不那么明显。然而，无论迹线的清晰度如何，所有SSEP迹线都用于分类。 解剖学上正确的运动和感觉区域（M1和S1）在MRI皮层上用红色和蓝色表示，中央沟以粗体黑色突出显示以将它们分开。 图3（b）显示了峰值检测方法的结果，该结果在头皮上插值，并按从蓝色（最大感觉峰值）到红色（最小运动峰值）的等级着色，排除了不良通道，值范围从−1到1。
97210编辑于 2024-04-26 - 来自专栏怪兽怪秀
科普一下常见几种金属表面处理工艺
###喷丸 喷丸强化是将大量高速运动的弹丸喷射到零件表面上，犹如无数个小锤锤击金属表面，使零件表层和次表层发生一定的塑性变形而实现强化的一种技术。 由于化学气相沉积膜层具有良好的耐磨性、耐蚀性、耐热性及电学、光学等特殊性能，已被广泛用于机械制造、航空航天、交通运输、煤化工等工业领域 ##五、表面洁化及装饰 ###抛光 抛光是对零件表面进行修饰的一种光整加工方法 ，一般只能得到光滑表面，不能提高甚至不能保持原有的加工精度，随预加工状况不同，抛光后的Ra值可达1.6～0.008 mm。 ####机械抛光 包括轮式抛光、滚筒抛光和振动抛光。 ####化学抛光 将金属零件浸入特制的化学溶液中，利用金属表面凸起部位比凹洼部位溶解速度快的现象实现零件表面的抛光。 ####电化学抛光 电化学抛光与化学抛光类似，不同点是还要通以直流电，工件接阳报，产生阳极溶解，也是利用金属表面凸起部位比凹洼部位溶解速度快的现象进行抛光的。
2.4K20编辑于 2022-09-20 - 来自专栏wx公众号开发
如果汽车只向一个方向行驶，没有后退的话，那么距离就是位移的绝对值。为什么？如果因为朝不同方向，可能为负数，绝对值就不对了吧？
它记录的是物体运动轨迹的总长度，永远是非负数。2.为什么“单向行驶”时，路程等于位移的绝对值？当汽车只向一个方向行驶且不回头时，它的运动轨迹就是一条直线，且没有重复经过任何一段路。 如果向负方向行驶，位移是负的（如−10-10−10米），路程依然是101010米。此时10=∣−10∣10=|-10|10=∣−10∣。 总结你的直觉中“绝对值不对”可能指的是当运动方向发生改变时，位移的正负抵消导致了数值变小。物理学中的结论是这样的：任何情况下：路程≥\ge≥|位移|。只有在单向直线运动中：路程===|位移|。
23210编辑于 2026-04-26 - 来自专栏abb
ABB 3BHB005243R0105 运动路径进行编程
ABB 3BHB005243R0105 运动路径进行编程图片无论是使用干式 quattroClean 喷雪技术的复杂清洁操作，将柔性箔和基材应用于曲面，还是自由曲面的高精度研磨和抛光——这些只是机器人可以完成的一些典型任务能够高效 为基于传感器的应用程序编写复杂的运动序列是一项特殊的挑战。
28910编辑于 2023-05-08 - 来自专栏脑机接口
东北电力大学和长春理工大学研究团队提出的一种通过scout ESI和CNN解码EEG运动想象四分类任务的新方法
原始数据来自国际10-10系统的64个电极(不包括Nz、F9、F10、FT9、FT10、A1、A2、TP9、TP10、P9和P10电极)，并以每秒160个样本的速度采集。 根据国际10-10系统从64个通道采集原始脑电图，并使用BCI2000系统进行记录。记录的数据被分为四个独立MI任务包括左拳MI,右拳MI,双拳MI和双脚MI。 研究者在运动皮层中创建了10个scout，因为我们只关心与运动相关的活动。十个scout中的每一个都代表了可用源空间中的一个感兴趣的区域(ROI)，并且是定义在皮层表面或头部体积上的偶极子的子集。 在计算了来源后，研究者在运动皮层中创建了十个scout，如图3所示。 ? 图4 提取R5 scout时间序列作为示例 在这项研究中，研究者提出利用CNN来解决运动想象任务分类的问题。
1K20发布于 2020-07-22 收购杭州众硅，中微公司迈出“平台化”关键一步
资料显示，杭州众硅于2018年在中国杭州创立，主营业务为高端化学机械平坦化抛光（CMP）设备的研发、生产及销售，并为客户提供 CMP 设备的整体解决方案；主要产品为12 英寸的CMP 设备。 CMP是基于化学作用和机械作用相结合的组合技术，其工作原理是：旋转的晶圆以一定的压力压在旋转的抛光垫上做相对运动，借助纳米磨料的机械研磨作用与各类化学试剂的化学作用的高度有机结合来实现平坦化要求。 这一过程中应用到的就是CMP设备，所需的材料主要包括抛光液和抛光垫。 目前，全球半导体化学机械抛光设备市场高度集中。 而杭州众硅所开发的是湿法设备里面重要的化学机械抛光设备（CMP）。刻蚀、薄膜和湿法设备，是除光刻机以外最为核心的半导体工艺加工设备。
46210编辑于 2026-03-20
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