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芯片表面SiO2薄膜
二氧化硅膜的掩蔽性质 uB、P、As等杂质在SiO2的扩散系数远小于在Si中的扩散系数。Dsi> Dsio2 uSiO2 膜要有足够的厚度。一定的杂质扩散时间、扩散温度下，有一最小厚度。
62500编辑于 2022-06-08 - 来自专栏硅光技术分享
OFC2022: 康宁的Glass Interposer封装方案
2) SiO2波导 通过离子交换(Ion exchange)的方式，形成SiO2波导，主要的工艺步骤如下， 在含Al的玻璃中，发生两次热离子交换，在玻璃表面形成光波导。 3) 用于PIC与SiO2波导耦合的adiabatic coupler Corning采用了倏逝波耦合的方式，将硅光芯片中的光信号耦合到SiO2波导中。 4）光纤连接器(fiber connector) 在SiO2波导附近通过激光切割形成trench结构，用于放置pin针，通过玻璃盖板进行固定，进而放置MPO的连接头，如下图所示。 整体的工艺流程如下图所示，首先在玻璃表面形成SiO2波导，接着形成TGV与RDL, 最后将PIC和EIC flip-chip到基板上。下图中的cavity深度为50um。 以上是对Corning的glass interposer封装方案的简单介绍，利用其在玻璃微加工技术上的优势，提出了一整套的基于SiO2的互联方案，看起来非常promising。
6.2K32编辑于 2022-04-27 - 来自专栏硅光技术分享
硅光耦合封装新方案：熔接光纤与硅光芯片
通过CO2激光器的照射，SiO2悬臂和裸纤熔接在一起，SiO2悬臂与光纤之间形成稳定的化学键。SiO2强烈吸收10.6um波长的光。实验中CO2激光器的功率为9W, 照射时间为0.5s。 实验中他们采用的SiN taper作为耦合器，光场从SiN波导中转换成SiO2悬臂的波导模式，进而再耦合到单模光纤中，其结构示意图如下图所示。 目前CO2出射的激光是通过透镜聚焦到SiO2和光纤的界面上，这可能是实验的一个难点。 文章中如果有任何错误和不严谨之处，还望大家不吝指出，欢迎大家留言讨论。 ---- 参考文献： 1. J.
3.8K31发布于 2020-08-13 - 来自专栏硅光技术分享
光芯片的材料体系比较
2) Silica/Direct Write 这两种体系都是SiO2波导，只是加工手段略有差别。 而传统的SiO2波导，制备的工艺较多，有离子交换法、溅射法、CVD法、火焰水解法。SiO2波导发展的时间较久，技术较为成熟。 无论哪种工艺制备的SiO2波导，其折射率差一般为0.01左右，波导尺寸较大，芯片尺寸一般在厘米量级，集成度不够高。商用的AWG器件，就是由SiO2波导制成。 由于SiO2材料的限制，没有相关的调制器、探测器和激光器等。 3) SiN SiN的折射率为2.0左右，介于Si和SiO2之间，所以它的集成度不如硅，但是高于SiO2。波导截面图如下， ?
5K22发布于 2020-08-13 - 来自专栏数据派THU
ChatGPT 能为计算材料科学做些什么？未来会取代计算材料科学家吗？
（2023 年 2 月 20 日） 值得注意的是，如果作者进一步问：「can you write a GPAW code for calculating the band structure of SiO2 」（「你能写一个计算 SiO2 能带结构的 GPAW 代码吗」），它会假设之前的代码是正确的，并通过简单地用 SiO2 替换 Si 并改变晶格参数 a 来生成新代码，忽略了 SiO2 的稳定构型不是立方体这一事实 而对于 SiO2，作者在 2023 年 3 月 10 日访问 ChatGPT 时也得到了新的输出，它使用「方英石」作为 SiO2 的默认结构，不同的 250 eV ecut（与 Si 的 150 eV） 然后可以通过输入「教」它改变为石英结构：「SiO2 的晶体结构是石英」；然后，将生成石英相中的 SiO2 bulk 结构。 数据可视化 最后一步是数据可视化。
67420编辑于 2023-05-11 - 来自专栏单细胞
数据分析中的指鹿为马（一）
='group_by_split' )+RotatedAxis()+ ggplot2::coord_flip() 我研究的课题中Postn为关键分子，我想证明：在myofibroblast细胞中SIO2 理论上myofibroblast细胞中在SIO2刺激之后的Postn表达就会比NS高，但是目前的dotplot上来看升高并不明显。 coord_flip()+ theme(axis.text.x = element_text(angle = 45,size = 9)) #,face = 'bold'print(p2) 这样的图不是我想要的，我需要在sio2 本来NS组别的postn是高表达，但是现在图上sio2组别显示的更高！ 什么？你觉得这还不够明显？那我们再改！
17210编辑于 2024-03-22 - 来自专栏纳米药物前沿
赵东元/李伟AM：高稳定性单胶束合成超细单分散的杂化纳米颗粒
实验结果表明，所制得的胶束/SiO2杂化纳米颗粒具有超细尺寸、良好的均匀性、单分散性和可调的结构参数（直径24-47 nm，薄壳厚度2.0-4.0 nm）。 这种方法对于构建各种多功能超小混合纳米结构是通用的，包括有机/有机胶束/聚合物(聚多巴胺)纳米颗粒、有机/无机胶束/金属氧化物（ZnO, TiO2, Fe2O3）、胶束/氢氧化物（Co(OH)2）、胶束/贵金属（Ag）和胶束/TiO2/SiO2 所合成的超小胶束/SiO2杂化纳米颗粒作为仿生材料具有优异的韧性。
54230编辑于 2022-08-15 - 来自专栏硅光技术分享
载流子积累型硅基调制器
从提高调制效率的角度看，有几个途径可以增大电容：1) 减小上下表面的距离, 将SiO2的厚度降低到几纳米，2）增大上下表面的面积，波导的宽度适当增加，3）选用高介电常数的材料取代SiO2。 （图片来自文献2） 水平方向的SISCAP结构将会形成slot模式，受限于工艺条件，中间SiO2的宽度至少在几十纳米量级，因此横向的SISCAP型调制器的效率并不高，典型值为1.5V*cm, 与耗尽型调制器的调制效率相当 另外工艺上也需要控制好多晶硅与单晶硅层之间SiO2的厚度，如果厚度较大，对应的电容就无法达到设计值，调制效率会打折扣。 文章中如果有任何错误和不严谨之处，还望大家不吝指出，欢迎大家留言讨论。
1.8K30发布于 2021-05-31 - 来自专栏光芯前沿
Chiplet通信桥接技术介绍及大厂方案分析(一)
（B）制造RDL：SiO2 + Cu Damascene和CMP方法 另一种RDL制造方法是Cu damascene工艺。 通过PECVD（等离子增强化学气相沉积）制作SiO2层。 2. 光刻，在SiO2上打开通孔。 3. RIE（反应离子蚀刻）SiO2。 4. 去除光刻胶。 5. 光刻，在SiO2上打开所需焊盘的通孔，并覆盖RDL位置。 16. 在SiO2上蚀刻所需通孔。 17. 去除光刻胶。 18. 在整个晶圆上溅射Ti和Cu。 19. 光刻，暴露UBM区域。 20.
58210编辑于 2025-04-08 - 来自专栏纳米药物前沿
青岛农大王丽丽＆中科院应化所林君CEJ：线粒体靶向的黑色素@mSiO2蛋黄壳结构用于近红外二区驱动的光热-热动力/免疫治疗
青岛农业大学王丽丽教授和中科院长春应化所林君教授团队通过差速离心法提取均匀的墨鱼囊黑色素，在正硅酸四乙酯(TEOS)和十六烷基三甲基氯化铵(CTAC)存在下，以均三甲苯作为扩孔剂，从而合成了mSiO2包覆黑色素的蛋黄壳纳米结构(MS)；并在SiO2 该平台具有以下优点：1) SiO2和天然黑色素纳米颗粒均具有良好的生物相容性和生物安全性；2) SiO2壳内接枝的(3-羧基丙基)三苯基溴化膦(CTPP)赋予MS线粒体靶向性；3) 大介孔可显著增加AIPH @MS-CTPP +激光、Ⅵ: AIPH@MS-CTPP + α-PD-1 +激光 (1064 nm激光，1.0 W·cm-2) 小结 本文通过提取直径为100 nm左右的天然墨鱼囊黑色素，后用大介孔SiO2 此外，基于天然黑色素和介孔SiO2都具有良好的生物安全性，因此我们得到的AIPH-MS@CTPP纳米颗粒具有很好的临床治疗前景。
97840编辑于 2022-08-15 单模激光器LD芯片
另外一种采用剥离工艺去除 SiO2 制作出 5 μm 电极窗口。但是两种都有很多技术不稳定性，不如stepper的方案。对于一些蝶形封装的也有芯片较大的。 采用SiO2底部钝化，金电极上盖工艺，因此整个工艺过程对光刻精度要求最高的区域就是5um窗口区。 不过单模芯片的制造也面临其他生产步骤的工艺难度，从外延、到光刻、到化片及后期的封装耦合。
14710编辑于 2026-03-18- 来自专栏纳米药物前沿
步文博Angew：近红外光触发的氯自由基（•Cl）策略用于癌症治疗
华东师范大学步文博教授和Yanyan Liu构造了氯自由基（•Cl）纳米发生器，其内部上转换纳米颗粒（UCNP）覆盖有SiO2，并在外部装饰有Ag0 / AgCl杂点。 本文制备了用Ag0 / AgCl修饰的UCNP @ SiO2纳米粒，以促进NIR光催化过程中•Cl的产生。•Cl具有强大的氧化性和亲核性，这种自由基可以在常氧和低氧肿瘤细胞中诱导有效的•Cl胁迫。
1.8K10发布于 2021-02-04 - 来自专栏硅光技术分享
光栅耦合器
实际情况中，其他阶的倒格矢也会存在作用，使得光场散射进SiO2衬底中，降低了耦合效率。另外在上式中，n_eff是针对某一波长和特定偏振的，因而一维光栅耦合器是偏振敏感的，并且工作带宽较窄。 导致其耦合效率不够高的主要原因有两方面，一方面部分光场散射进SiO2衬底中，另一方面光栅模场为e指数形式，与光纤的高斯光重叠积分值不够高。 为了提高耦合效率，其着眼点也相应地分为两个努力方向，一方面在PIC芯片底部做文章，镀上金属，或者刻蚀DBR光栅，使得散射进SiO2的光场又反射回去，进而提高耦合效率，如下图所示。
12.9K84发布于 2020-08-13 - 来自专栏硅光技术分享
IHP实现世界上最快的Ge探测器(265GHz)
接着在Ge层上方沉积一层薄Si，然后再沉积SiO2。接着对左边区域的SiO2进行刻蚀，打开窗口(a图)，并将下方的Ge也刻蚀掉，然后沉积掺杂的Si层(b图)。 随后填充SiO2, 并进行CMP处理(c图)。类似的方法，处理右边的窗口(d图)，最终形成左边为p掺杂的Si，右边为n掺杂的Si，中间为Ge的三明治结构。该工艺对套刻的精度要求较高。
1.9K20编辑于 2021-12-13 - 来自专栏芯片工艺技术
拓荆科技
公司该系列设备最大优势是在满 足工艺需求前提下拥有较低的客户综合使用成本，目前适用于 180-14nm 逻辑芯片、19/17nm DRAM、64/128 层 FLASH 制造等领域，可沉积 SiO2、SiN 目 前，公司 12 英寸 PEALD 设备 FT-300T 已实现产业化应用，可沉积 SiO2 和 SiN 材料薄膜，广泛 应用于国内 55-14nm 逻辑芯片制造、55-40nm BSI 工艺的晶圆制造
89620编辑于 2022-06-08 - 来自专栏工程师看海
为什么MOS管要并联个二极管，有什么作用？
我们回过头看下MOS结构，从下图(1)可以看出，MOS中的氧化物O指的是二氧化硅SiO2，SiO2不导电，所以驱动极G基本不走电流，因此MOS功耗比较低，是电压型驱动器件。
1.4K40编辑于 2022-06-23 - 来自专栏芯片工艺技术
工艺笔记---Photolithography
当然也有wafer不需要涂HMDS，但是有一些SiO2膜，在涂正胶时，如果不涂HMDS，后续工艺中很容易脱胶，光刻胶和SiO2膜的粘附性不好。但是在使用HMDS过程中一定要做好防护。 我用过美国有一家公司的光刻胶确实可以直接在SiO2上涂胶，且粘附效果很好，感兴趣的可以留言讨论。 然后就是涂胶，这个感觉光刻胶的参数，设定旋转条件即可。
1.5K20编辑于 2022-06-08 - 来自专栏硅光技术分享
端面耦合器
波导变细后，其束缚光场的能力变弱，部分光场分布在包覆的SiO2中，其模斑尺寸变大。下图中硅波导的宽度从500nm减小到150nm, 模斑尺寸相应地增大。 ? 为此，人们提出了悬臂梁型耦合器(cantilever coupler), 其主要思路是将底部的硅通过特定的工艺刻蚀掉，剩余的SiO2与空气构成波导,其光场不再泄露到Si中。 光场先是耦合进SiO2波导中，进而慢慢耦合进Si波导中，其典型结构如下图所示。 ? （图片来自文献3） 该结构的模场可以与单模光纤匹配，并且偏振不敏感，是一个较好的选择。
8K82发布于 2020-08-13 - 来自专栏芯片工艺技术
一个硅基板上InGaN激光芯片的腔面制作方法
但是KOH的腐蚀性又太强，且和SiO2可以反映，SiO2在芯片工艺段常被用作LD芯片的钝化层使用，因此不能收到KOH的刻蚀。 该方法采用TMAH作为处理液。
96320编辑于 2022-06-08 - 来自专栏硅光技术分享
硅基电光调制器基础
3) 载流子积累型（carrier accumulation modulator） 该类型又称为MOS型调制器，在p型区域和n型区域中间生长一层教薄的SiO2, 形成MOS电容（MOS电容的金属对应多晶硅 ，O为SiO2）。 但是它对加工工艺的要求比较高，需要生长多晶硅以及SiO2薄层，而多晶硅会引入额外的损耗。 简单从几个方面比较下下这三种电学结构构成的调制器，如下图所示， ?
9.6K50发布于 2020-08-13
腾讯云开发者
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