接触角(Contact Angle)增大到44°;表面张力的增大使内聚力增加,从而使向外的附着力变小,不但容易立碑(Tombstoning )并使散锡性和上锡性变差;通常,Sn63/Pb37的润湿时间(
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竖碑(Tombstoning) 竖碑(Tombstoning)是指无引线元件(如片式电容器或电阻)的一端离开了衬底,甚至整个元件都支在它的一端上。 Tombstoning也称为Manhattan效应、Drawbridging 效应或Stonehenge 效应,它是由软熔元件两端不均匀润湿而引起的;因此,熔融焊料的不够均衡的 越来越敏感。