美光市值突破1万亿美元！

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美东时间5月26日，美国存储芯片巨头美光科技股价单日暴涨逾19%，总市值一举突破1万亿美元大关，正式成为全球极少数跻身“万亿美元市值俱乐部”的半导体企业之一。

从当日市场行情来看，美光科技当日股价最高触及916.8美元，最终收报895.88美元，涨幅高达19.3%，创下自2011年以来的最大单日涨幅纪录。这一涨势使得美光市值达到约1.01万亿至1.023万亿美元，不仅超越了礼来和沃尔玛，成为美国市值第十大上市公司，也标志着存储芯片行业在AI时代的价值重估达到了新高度。

此次美国股价大涨的直接催化剂来自瑞银发布的一份极具震撼力的研报。瑞银分析师蒂莫西·阿库里将美光科技的目标价从535美元大幅上调至1625美元，上调幅度超过三倍，这也是目前华尔街给予该股的最高目标价。若按此目标价测算，美光未来的市值有望冲击1.8万亿美元，甚至可能超过特斯拉和Meta等科技巨头。

值得一提的是，当地时间5月22日，美光科技公司庆祝其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的晶圆厂开始生产1α（1-alpha）DRAM芯片，这是该公司大幅扩展美国内存制造的重要一步，将使其在美国的DDR4晶圆供应量直接翻上4倍，以解汽车、国防、航空航天等关键工业的“燃眉之急”。

据外媒Wccftech报导，摩根大通（JPMorgan）近日发布研究报告指出，美光全球运营执行副总裁Manish Bhatia在波士顿举行的“第54届摩根大通全球科技、媒体与通信年会”（TMC）上指出，由于高性能内存芯片能显著提升AI模型的计算性能，预期整个内存市场的供给吃紧状态将延续到2026年之后的。

Manish Bhatia表示指出，在AI应用需求的推波助澜下，其“1-gamma（1-γ）”制程正按计划推进，预计在2026年年中成为产量主力，如果以总晶圆出货量来计算（total-wafer out basis），将成为公司史上产量最高的DRAM制程。主要用于AI GPU的HBM所需的DRAM，通过这DRAM进行垂直堆叠，然后封装整颗芯片。美光表示，会持续将极紫外光（EUV）光刻技术，与1-gamma内存生产线深度整合。

在产量方面，美光透露，受益于AI强劲需求，HBM4的产能爬坡（ramping up）速度，比之前的HBM3/HBM3E快上两倍，且良率改善的速度也更为迅速。

美光将HBM4 产能得以加速推进归功于三大因素，首先是从过去量产HBM3 及HBM3E 产品中所累积的营运经验与学习效应；其次，HBM4的核心芯粒（core dies）采用了美光目前主力的10nm级第五代1-beta (1β) 制程，该制程的效能与良率已证实相当稳定；第三，则是美光内部最佳化的基础芯片（base die），通过将1β DRAM 与内部自制的基础芯片结合，成功将产品的品质与性能最大化。

另外，对于下一代的HBM4E内存，Manish Bhatia 表示，HBM4E 的开发进展顺利，预期2027 年正式启动产能爬坡，其首款样品核心芯粒将采用10nm级第六代1-gamma (1γ) 制程生产，这也是美光首个采用ASML 极紫外光（EUV）设备的制程节点，技术层级相当于对手三星和SK海力士的1c DRAM制程。而在基础芯片方面，美光将不再由内部制造，而是转交由晶圆代工伙伴台积电负责生产。

首批量产的HBM4E内存将是JEDEC 标准产品，同时美光也在筹备针对客户需求量身打造的定制化产品。虽然定制化版本的成本较高，但凭借其提升的效能与额外附加功能，美光预期客户需求将非常强劲。

在市场竞争方面，三星电子与SK海力士同样正运用各自的1c DRAM制程积极开发HBM4E。三星计划于2026 年第二季出货首批HBM4E 样品，其基础晶片将采用三星自家晶圆代工厂的4nm制程制造。 SK海力士则目标在2026 年下半年向客户提供样品，并于2027 年展开量产，其基础芯粒据传也将采用台积电的3nm制程生产。

美光还指出，AI上下文窗口（context windows）扩大、加上推理工作负载增加，让公司得以扩大固态硬盘（SSD）市场的市占率。

美光认为，由于HBM、NAND和DRAM芯片的产能难以在短时间内拉高，因此这种供不应求的局面预计会维持好一段时间。

编辑：芯智讯-浪客剑