武芯烧录器支持SAMSUNG JSC NAND 系列JS27HP1G08SCDA-45-SU芯片编程烧录

SAMSUNG 的JSC NAND 系列提供 1.8V/3.3V Vcc 电源，这种双电源选项为不同的应用场景提供了灵活性，无论是对功耗要求严格的便携式设备，还是对稳定性要求较高的常规存储设备，都能找到合适的电源模式。同时，芯片配有 x8/16 I/O 接口，这种灵活的接口配置不仅适应不同的数据传输需求，还能根据实际应用选择最合适的接口模式，确保数据传输的高效性。

高性能的存储架构

该芯片的NAND 单元为固态大容量存储市场提供了极具成本效益的解决方案。其存储器被划分为可独立擦除的块，在擦除旧数据时，有效数据能够得到保留，大大提高了数据管理的效率和灵活性。在 SLC NAND 设备中包含 1,024/2,048 个块，丰富的块数量为大容量数据存储提供了坚实基础。而且，每页数据读取速度较快，可在 25ns（3.3V）/45ns（1.8V）周期时间内读取，这使得数据的读取操作迅速高效，满足了现代存储应用对数据快速访问的需求。

智能的制片上编程/ 擦除控制器可自动自动执行所有编程和擦除功能，它不仅能在必要时进行脉冲重复，还能对数据进行内部校验和裕度检查，全方位保障编程和擦除操作的准确性和可靠性。WP 输入则像一把 “安全锁”，可以锁定修改操作，防止数据被误修改，进一步提高了数据的安全性。

便捷的引脚与接口设计

I/O 引脚既用作地址和数据输入 / 输出，又作为命令输入端口。命令、数据和地址通过 CE、WE、RE、ALE 和 CLE 输入引脚同步引入，有条不紊地协调着芯片的各项操作，确保数据的准确传输和处理。输出引脚 R/B（开漏缓冲）在每次操作期间实时指示设备状态，让用户随时了解芯片的工作情况。在多存储器系统中，R/B 引脚可以全部连接在一起，提供全局状态信号，方便对整个存储系统进行监控和管理，实现多设备之间的协同工作。

独特的功能特性

芯片支持CE 无关功能，这一特性为微控制器直接从 NAND Flash 存储器设备下载代码提供了便利，因为 CE 的转换不会停止读取操作，，确保代码下载过程的顺畅。此外，设备支持 ONFI 1.0 规范，遵循行业标准，增强了与其他设备的兼容性。针对 8Gb 产品，建议在 “静态 ONFI 参数” 中将逻辑单元（LUN）从 1 改为 2，进一步优化设备性能。

有效的可靠性保障

即使在写入密集型系统中，JSC NAND 系列也能凭借实时映射算法和 ECC（错误纠正码）扩展可靠性，达到 100K 次编程 / 擦除周期。内部ECC 可在 528 字节（x8）或 264 字（x16）中实现 4 位错误纠正，确保在大量数据读写过程中数据的完整性。拷贝回功能则进一步优化了不良块管理，当页编程操作失败时，数据可以直接编程到同一阵列部分的另一页，而无需耗时的串行数据插入阶段，并且拷贝回读取后允许数据读取，大大提高了存储系统的容错能力和数据处理效率。此外，该器件还具备OTP / 唯一 ID 区、Read ID2 扩展等额外功能，为存储应用提供了更多的可能性和便利性。

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG的JSC NAND 系列JS27HP1G08SCDA-45-SU芯片的裸片离线烧录与在板（isp）烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。