武芯烧录器支持SAMSUNG K9F2G08U0D系列芯片编程烧录

K9F2G08U0D系列是SAMSUNG的一款具有64M-bit备用区的2G-bit NAND 闪存。提供 256Mx8 位配置，且工作电压为 3.3V VCC，其 NAND 存储单元为固态存储应用市场带来了极具吸引力的解决方案。

高效的数据处理能力

典型情况下，在(2K 64) 字节的页上，编程操作仅需 400 微秒就能完成，大量数据能够快速有序地写入，大大提高了数据写入效率。而在 (128K 4K) 字节的块上，擦除操作可在 4.5 毫秒内完成，迅速的擦除功能为数据更新和管理提供了便利，使存储设备能够及时响应数据的变动。此外，数据寄存器中的数据可按每字节 25ns 的周期时间读出，无论是在日常文件读取，还是在对数据响应要求极高的应用场景中，都能迅速满足需求，为用户带来流畅的数据访问体验。

图片来源SAMSUNG官网

智能的片上写入控制

片上写入控制器能自动化执行所有编程和擦除功能。它不仅能在必要时进行脉冲重复，确保编程和擦除的准确性，还能对数据进行内部验证和边缘检测。这种智能化的控制机制，使得芯片在数据存储和管理过程中更加自主和高效，减少了外部干预的复杂性，提升了整体性能。

K9F2G08U0D它在性能、可靠性和成本之间达到了良好的平衡，凭借其稳定的性能和可靠的数据存储能力，它成为大容量非易失性存储应用的理想之选，广泛适用于固态文件存储以及其他需要非易失性的便携式应用，如移动硬盘、固态硬盘以及各类手持设备的存储模块等，为数据的长期稳定存储提供了坚实保障。

主要特性

VCC：3.3V（2.7V ~ 3.6V）存储单元阵列：（512M 16M）x 8位页面大小：（2K 64）字节数据寄存器：（2K 64）x 8位块大小：（128K 4K）字节页面编程：（2K 64）字节块擦除：（128K 4K）字节随机读取：25μs（最大）串行访问：25ns（最小）数据传输速率：SDR 20MHz（40Mbps）页面编程时间：400μs（典型）

块擦除时间：4.5ms（典型）

命令/地址/数据复用输入输出端口

用于版权保护的唯一ID

封装：K9F2G08U0D-Sx1)B0：无铅，无卤素封装 48 引脚 TSOP1（12 x 20 / 0.5 毫米间距） K9F2G08U0D-5x1)B0：无铅，无卤素封装 63 引脚 FBGA（9 x 11 / 0.8 毫米间距）

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG

的K9F2G08U0D系列K9F2G08U0D-BIB0、K9F2G08U0D-PCB0、K9F2G08U0D-BCB0芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。