武芯烧录器支持SAMSUNG K9G8G08U0M系列芯片编程烧录

K9G8G08U0M系列SAMSUNG的一款8G bit NAND 闪存，配备了 256M - bit 备用区，为数据的拓展与备份提供有力支持。从数据处理速度来看，在典型状况下，能够在 2,112 字节的页面上于约 800µs 内完成编程操作；同时，在 (256K 8K) 字节块上，大约 1.5ms 就能执行擦除操作，数据寄存器中的数据读取速度也十分可观，可以每字节 30ns 的周期时间读出。

图片来源SAMSUNG官网

该器件的I/O 引脚，它不仅承担着地址和数据输入输出的重任，还可用于命令输入，使得芯片与外部设备间的通信高效有序。片上写入控制器会自动执行所有编程和擦除功能，涵盖必要时的脉冲重复，以及数据的内部校验和边界验证，确保芯片内部的数据处理工作有条不紊地推进。

即便面对写入密集型系统，K9G8G08U0M系列 也能凭借提供带实时映射算法的 ECC（错误修正码），充分利用自身 5K 次编程 / 擦除循环的延长可靠性，为数据的准确性和稳定性筑牢防线。正因如此，K9G8G08U0M 成为大容量非易失性存储应用的不二之选，广泛应用于固态文件存储以及其他需要非易失性的便携式应用等领域。

主要特性：

电压供应：2.7 V ~ 3.6 V

存储单元阵列：(1G 32M)位 x 8位

数据寄存器：(2K 64)位 x 8位

块擦除：(256K 8K)字节

页面大小：(2K 64)字节

随机读取：60µs（最大）

串行访问：30ns（最小）

存储单元：2位/存储单元

快速写入周期时间

命令/地址/数据复用I/O端口

硬件数据保护

电源切换期间编程/擦除锁定

可靠CMOS浮栅技术

耐久性：5K编程/擦除周期（带4位/512字节ECC）

数据保持：10年

命令寄存器操作

独特ID用于版权保护

封装：

K9G8G08U0M-PCB0/PIB0：无铅封装48针TSOP I（12 x 20 / 0.5 mm间距）K9G8G08U0M-ICB0/IIB0：52针ULGA（12 x 17 / 1.00 mm间距）

K9LAG08U1M-ICB0/IIB0：52针ULGA（12 x 17 / 1.00 mm间距）

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG  K9G8G08U0M系列K9G8G08U0M-YIB0、K9G8G08U0M-PIB0芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。